Kanal tipi : N-Ch.Düşük giriş kapasitesi : 110 p
F.Noofchannels : 1. Source
On
Resistance-Max : (P) 950 mΩRated
Power
Dissipation : 300 m
W Voltage
Drainto
Source : 20 V. Drenaj; Qg
Gate
Charge : 1.82 n
C; Gate
Source
Voltage
Max : 6 V; Drain
Current-(ID) Max : 915 m
A;-(ton) Nom : 3.7 ns zamanında-Teslim;-off
Time-(toff) Nom : 25 ns; Rise
Tİme : 4.4 ns Devre; Fall
Time.Tek N-Kanal 20 V 950 m
Ohm 1.82 n
C 300 m
W Silikon SMT Mosfet-SC-75-3 ***** Daha fazla bilgi için resmin altındaki 'İndirilenler' bölümünde bulunan şartname sayfasına bakın*****.
Çığ Dayanıklı Teknoloji.Sağlam Kapı Oksit Teknolojisi.Daha Düşük Giriş Kapasitesi.Geliştirilmiş Kapı Şarjı.Genişletilmiş Güvenli Çalışma Alanı.NTE Electronics NTE2932
Fairchild Yarıiletkeni.Dizi : *.Paket : Toplu.Parça Durumu : Eskimiş.Teknik özellikler : Marka : Fairchild Semiconductor Series : *Paket : Bulk Part Durumu : 1 (Sınırsız) ULAŞM
Model : IRFP260 N Kanallar £ ºN kanalı.Anma Akımı : 50 A anma Gerilimi : 200 V Pin Sayısı : 3 Pin.Kurulum Türü : Düz Fiş.İleri Proses Teknolojisi.Basit Sürücü Gereksinimleri.P
(Max) @ Kimliği Üzerinde 10 VRds ( 281 Ürün özellikleri 13 A (Tc) Sürücü Gerilimi (Max Rds, On Dakika Rds)İÇİN) : Kategori : Ayrık yarı İletken Ürünler, TransistörFet, MOSFE
